Kazalo:
- Opredelitev - Kaj pomeni feroelektrični pomnilnik z naključnim dostopom (FRAM)?
- Techopedia razlaga feroelektrični pomnilnik z naključnim dostopom (FRAM)
Opredelitev - Kaj pomeni feroelektrični pomnilnik z naključnim dostopom (FRAM)?
Feroelektrični pomnilnik z naključnim dostopom (FRAM, F-RAM ali FeRAM) je oblika nehlapnega pomnilnika, podobna DRAM-u v arhitekturi. Vendar pa namesto dielektrične plasti uporablja feroelektrični sloj, da doseže nehlapljivost. Feroelektrični pomnilnik z naključnim dostopom velja za eno potencialno alternativo za nehlapne pomnilniške tehnologije z naključnim dostopom in ima enake lastnosti kot pomnilnik flash.
Techopedia razlaga feroelektrični pomnilnik z naključnim dostopom (FRAM)
Kljub imenu feroelektrični pomnilnik z naključnim dostopom dejansko ne vsebuje železa. Noramlly uporablja svinčeni cirkonat titanat, čeprav se včasih uporabljajo tudi drugi materiali. Čeprav razvoj feroelektričnega RAM-a sega že v zgodnje dni polprevodniške tehnologije, so bile prve naprave, ki temeljijo na feroelektričnem RAM-u, izdelane okoli leta 1999. Feroelektrična spominska celica RAM-a je sestavljena iz bitne črte in kondenzatorja, povezanega s ploščo. Binarne vrednosti 1 ali 0 so shranjene glede na orientacijo dipola znotraj kondenzatorja. Orientacijo dipola lahko nastavite in obrnete s pomočjo napetosti.
V primerjavi z bolj uveljavljenimi tehnologijami, kot sta bliskavica in DRAM, feroelektrični RAM ne uporablja veliko. Feroelektrični RAM je včasih vgrajen v čipe, ki temeljijo na CMOS, da bi MCU-ji pomagali imeti lastne feroelektrične spomine. To pomaga pri manj fazah za vgradnjo pomnilnika v MCU, kar povzroči znatne prihranke stroškov. Prinaša tudi drugo prednost, ki ima nizko porabo energije v primerjavi z drugimi alternativami, kar močno pomaga MCU-jem, kjer je poraba energije vedno ovira.
S feroelektričnim RAM-om je veliko koristi. V primerjavi s shranjevanjem bliskavice ima manjšo porabo energije in hitrejše pisanje. V primerjavi s podobnimi tehnologijami feroelektrični RAM zagotavlja več ciklov pisanja in brisanja. Večja zanesljivost podatkov je tudi s feroelektričnim RAM-om.
Obstajajo nekatere pomanjkljivosti, povezane s feroelektričnim RAM-om. V primerjavi z bliskovnimi napravami ima nižje pomnilniške zmogljivosti in je tudi drag. V primerjavi z DRAM-om in SRAM-om feroelektrični RAM shranjuje manj podatkov v istem prostoru. Tudi zaradi destruktivnega bralnega procesa feroelektričnega RAM-a je potrebna arhitektura pisanja po branju.
Feroelektrični RAM se uporablja v mnogih aplikacijah, kot so instrumentacija, medicinska oprema in industrijski mikrokontrolerji.
